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• 鄭湘原、周武清、吳立康、李建成，“利用斜角度離子注入之非揮發性記憶體的製作方法”，中華民國專利證書號I234243，國際專利分類號H01L 21/8247 (2005/06/11)。

• 陳衛國、李明知、周武清、陳文雄、柯文政，“製作自行聚合奈米粒之方法”， 中華民國專利證書號I237391，國際專利分類號H01L 29/02 (2005/08/01)。

• 鄭湘原、周武清、洪志學、李建成，“非揮發性記憶體的製造方法與結構”，中華民國專利證書號I240316，國際專利分類號H01L 21/28 (2005/09/21)。

• 楊宗熺、李忠良、楊祝壽、羅廣禮、周武清、張俊彥、楊宗燁，“在矽晶片上成長硒化鋅薄膜之方法及該硒化鋅磊晶半導體構造”，中華民國專利證書號I246116，國際專利分類號H01L 21/10 (2005/12/21)。

• Tsung-His Yang, Chung-Liang Lee, Chu-Shou Yang, Guangli Luo, Wu-Ching Chou, Chun-Yen Chang, Tsung-Yeh Yang, “Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate”, US Patent 7,071,087 (July 4, 2006).

• Erik S. Jeng,  Wu-Ching Chou, Li-Kang Wu, Chien-Chen Li, “Process for fabricating non-volatile memory by tilt-angle ion implantation”, US Patent 7,179,708 (Feb 20 , 2007).

• Wei-Kuo Chen, Ming-Chih Lee, Wu-Ching Chou, Wen-Hsiung Chen, Wen-Cheng Ke, “Process for manufacturing self-assembled nanoparticles”, US Patent 7,294,202.